【BSC019N04LS MOSFET单项晶体管】
BSC019N04LS MOSFET单项晶体管
规格参数：
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）27A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）41nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2900pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），78W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装PG-TDSON-8
封装/外壳8-PowerTDFN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 57 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 95 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
特征：
针对高性能SMPS进行了优化，例如： 同步。REC。
极低的导通电阻RDS（on）@ VGS = 4.5V
100％通过崩溃测试
卓越的耐热性
N沟道
符合JEDEC1标准，适用于目标应用
无铅铅电镀; 符合RoHS标准
符合IEC61249-2-21标准
【BSC019N04LS MOSFET单项晶体管】由星际金华长期原装现货供应产品，质量上乘，量大价优，有意向的商友，欢迎您的致电联系！
