IRF6715MTRPBF N沟道场效应晶体管

星际金华供应 IRF6715MTRPBF N沟道场效应晶体管！ 

规格参数： 

IRF6715MTRPBF N沟道场效应晶体管：

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 34A（Ta），180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 34A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 59nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5340pF @ 13V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），78W（Tc）

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DIRECTFET? MX

封装/外壳 DirectFET? 等容 MX

Vds-漏源极击穿电压: 25 V 

Id-连续漏极电流: 180 A 

Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 40 nC 

最小工作温度: - 40 C 

最大工作温度: + 150 C 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 78 W 

高度: 0.7 mm  

长度: 6.35 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.05 mm    

正向跨导 - 最小值: 135 S  

下降时间: 12 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 31 ns  

工厂包装数量: 4800  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 16 ns  

典型接通延迟时间: 20 ns  

零件号别名: SP001531626

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