产品报价：4元
更新时间：2018/10/27 13:39:51
产地：美国
品牌：ST
型号：STB25N80K5
厂商性质：
公司名称： 深圳市星际金华实业有限公司
陈小姐 : (13632800820) (0755-82530048)
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N沟道晶体管STB25N80K5半导体详细规格参数：
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）19.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）260 毫欧 @ 19.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）40nC @ 10V
Vgs（最大值）±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1600pF @ 100V
FET 功能-
功率耗散（最大值）250W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装D2PAK
封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
公司还提供以下型号：
PD09-73LF
STB25N80K5
ADS7953SBDBTR
LTC3112EDHD
MAX1776EUA
MAX207EEWG
LNBP16SP
ICE1PCS02G
TPS54229DDAR
AD8040ARUZ
INA216A1RSWR
ADG854BCPZ
LME49726MY
TPS63001DRCR
2110819-1
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