产品报价：4元
更新时间：2018/10/27 13:39:51
产地：美国
品牌：ST
型号：STFU9N65M2
厂商性质：
公司名称： 深圳市星际金华实业有限公司
陈小姐 : (13632800820) (0755-82530048)
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分立半导体 STFU9N65M2 晶体管规格参数：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 315pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 20W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F
星际金华还提供以下型号：
BGA728L7
AD9173BBPZ
TMS320C5545AZQW10R
LT8302IS8E
STFU9N65M2
HM2R88PA8101N9
HM2R20PA5100N9
PS219B4-CST
SI4840-A10
LTC3421EUF
MAX4734EGC
XC2V1000-4FGG456C
XC2S50E-6TQG144C
XC2S100E-6FTG256C
BCM89335L2CUBG
TMS320C6678ACYPA25
P89LPC922FN
SIA427ADJ
5CEFA2U19I7N
TFP401APZP
TPS62261DRVR
TLV271CDBVR
DSP56301AG80
SN74CBTLV3257DBQR
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