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IPB80N08S2-07 N沟道功率晶体管
IPB80N08S2-07 N沟道功率晶体管
  • IPB80N08S2-07 N沟道功率晶体管

IPB80N08S2-07 N沟道功率晶体管

产品报价:15元

更新时间:2019/8/7 11:07:11

地:德国

牌:Infineon

号:IPB80N08S2-07

厂商性质:

公司名称: 深圳市星际金华实业有限公司

产品关键词: N沟道功率晶体管   IPB80N08S2-07   IC芯片   电子元器件   集成电路  

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陈小姐 : (13632800820) (0755-82530048)

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IPB80N08S2-07 N沟道功率晶体管:


规格参数:

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 75V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.1 毫欧 @ 80A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4700pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 300W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO263-3-2

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB


特征:

N通道 - 增强模式

汽车AEC Q101合格

MSL1峰值回流温度高达260°C

工作温度为175°C

绿色包装(无铅)

超低Rds(on)

100%雪崩测试


IPB80N08S2-07 N沟道功率晶体管 由深圳市星际金华实业有限公司原装正品供应,库存充足,量大价优。


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