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P沟道功率晶体管NVGS3443T1G
P沟道功率晶体管NVGS3443T1G
  • P沟道功率晶体管NVGS3443T1G

P沟道功率晶体管NVGS3443T1G

产品报价:11元

更新时间:2019/7/2 11:13:18

地:美国

牌:ON

号:NVGS3443T1G

厂商性质:

公司名称: 深圳市星际金华实业有限公司

产品关键词: NVGS3443T1G   P沟道功率晶体管   IC芯片   电子元器件   集成电路  

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陈小姐 : (13632800820) (0755-82530048)

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P沟道功率晶体管NVGS3443T1G 现货:


规格:

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On  65 毫欧 @ 4.4A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)  1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)  15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)  565pF @ 5V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6


特征:

超低RDS(上)

更高的效率延长电池寿命

微型TSOP-6表面贴装封装

这些器件是无铅的,符合RoHS标准

适用于汽车和其他应用的NVGS前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AEC-Q101合格且PPAP能力


应用:

便携式和电池供电产品的电源管理


以上型号 P沟道功率晶体管NVGS3443T1G 由星际金华长期供应,价格请以当天咨询为准,更多关于P沟道功率晶体管NVGS3443T1G 产品详情,请咨询公司工作人员!

深圳市星际金华实业有限公司

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联系人:陈小姐

电话:0755-82530048

传真:07755-83957753

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