晶体管 CSD17555Q5A

星际金华供应 晶体管 CSD17555Q5A！ 

规格： 

晶体管 CSD17555Q5A

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.7 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.9V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4650pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSONP（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: VSONP-8 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 30 V 

Id-连续漏极电流: 100 A 

Rds On-漏源导通电阻: 3.4 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 23 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 3 W 

商标名: NexFET 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

高度: 1 mm  

长度: 6 mm  

系列: CSD17555Q5A  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.9 mm  

商标: Texas Instruments  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

星际金华火热销售 晶体管 CSD17555Q5A，百分百全新原装正品现货，质量保证，价格优势，有意者，欢迎您的致电联系！