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MOSFET晶体管 CSD17573Q5B
MOSFET晶体管 CSD17573Q5B
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MOSFET晶体管 CSD17573Q5B

产品报价:询价

更新时间:2018/10/27 13:39:51

地:美国

牌:TI

号:CSD17573Q5B

厂商性质:

公司名称: 深圳市星际金华实业有限公司

产品关键词: CSD17573Q5B   IC芯片   电子元器件   集成电路   晶体管  

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陈小姐 : (13632800820) (0755-82530048)

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MOSFET晶体管 CSD17573Q5B: 

产品规格:

MOSFET晶体管 CSD17573Q5B 

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 毫欧 @ 35A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 64nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9000pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),195W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSON-CLIP(5x6)

封装/外壳 8-PowerTDFN

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: VSON-CLIP-8 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 30 V 

Id-连续漏极电流: 332 A 

Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Qg-栅极电荷: 49 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 195 W 

通道模式: Enhancement 

商标名: NexFET 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

高度: 1 mm  

长度: 6 mm  

系列: CSD17573Q5B  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Texas Instruments  

正向跨导 - 最小值: 181 S  

下降时间: 7 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 20 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 40 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns  

单位重量: 91.700 mg

 

星际金华优势供应 MOSFET晶体管 CSD17573Q5B,原装正品,质量上乘,现货库存,价格优势。有兴趣的商友,欢迎来电联系!

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