MOSFET晶体管 CSD17573Q5B
产品报价:询价
更新时间:2018/10/27 13:39:51
产地:美国
品牌:TI
型号:CSD17573Q5B
厂商性质:
公司名称: 深圳市星际金华实业有限公司
陈小姐 : (13632800820) (0755-82530048)
(联系我时,请说明是在来宝网上看到的,谢谢!)产品报价:询价
更新时间:2018/10/27 13:39:51
产地:美国
品牌:TI
型号:CSD17573Q5B
厂商性质:
公司名称: 深圳市星际金华实业有限公司
陈小姐 : (13632800820) (0755-82530048)
(联系我时,请说明是在来宝网上看到的,谢谢!)MOSFET晶体管 CSD17573Q5B:
产品规格:
MOSFET晶体管 CSD17573Q5B
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 64nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9000pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),195W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-CLIP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 332 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 195 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 6 mm
系列: CSD17573Q5B
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 181 S
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
单位重量: 91.700 mg
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