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IRF6100 和 IRG4PC60U 晶体管
IRF6100 和 IRG4PC60U 晶体管
  • IRF6100 和 IRG4PC60U 晶体管

IRF6100 和 IRG4PC60U 晶体管

产品报价:5元

更新时间:2018/5/17 13:50:41

地:其他国家

牌:IR

号: IRF6100 和 IRG4PC60U

厂商性质: 贸易型,

公司名称: 深圳市明佳达电子有限公司

产品关键词: IRG4PC60U   IRF6100   晶体管  

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IRF6100 和 IRG4PC60U 晶体管:

品牌 :IR

批号 :新

产品价格(元):5/只

最小起订量(只):5

产品数量(只):37700



IRF6100 :

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 5V

Vgs(最大值) ±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1230pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.2W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 5.1A,4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 4-FlipFet?

封装/外壳 4-FlipFet?




IRG4PC60U :

IGBT 类型 -

电压 - 集射极击穿(最大值) 600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 75A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2V @ 15V,40A

功率 - 最大值 520W

开关能量 280μJ(开),1.1mJ(关)

输入类型 标准

栅极电荷 310nC

25°C 时 Td(开/关)值 39ns/200ns

测试条件 480V,40A,5 欧姆,15V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247AC



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XC4VFX100-10FF1517I

XC4VFX100-11FF1517C

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IRF6100

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