来宝网Logo

热门词:生物显微镜 水质分析仪 微波消解 荧光定量PCR 电化学工作站 生物安全柜

现在位置首页>行业专用>激光产品>激光器> LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

商品编号:70312
分享

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

价    格:询价

产    地:德国更新时间:2019/7/15 13:41:34

品    牌:屹持光电技术型    号:LT-GaAs

状    态:正常点击量:414

18817395337
联系我时,请说明是在来宝网上看到的,谢谢!

上海屹持光电技术有限公司

联 系 人:薛先生

电     话:02162209657

传     真:021-54843093

等     级: (第 4年)

性     质:生产型,

联系我时请说在来宝网上看到的,谢谢!




LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料,其电子迁移率高、介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作外延片。

1、半导体光电子器件结构生长

    我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层,适用于不同应用。

2、低温砷化镓

    对于某些应用需要快速响应装置,例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件,响应时间短至1 ps。

    我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓:



产品参数

参数:

  • 砷化镓晶片直径:2“或4”

  • 最大薄膜叠层厚度:5μm

规格:

  • LT-GaAs-50.8:2“(50.8mm)LT-GaAs晶片

  • LT-GaAs-100:4“(100mm)LT-GaAs晶片

  • LT-InGaAs-100:4“(100 mm)LT-InGaAs晶圆

  • LT-GaA-100-C:具有定制金属结构的4“(100 mm)LT-GaAs晶圆



产品介绍

LT-GaAs低温砷化镓基片外延生长定制

    GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料,其电子迁移率高、介电常数小,能引入深能级杂质、电子有效质量小,能带结构特殊,可作外延片。

1、半导体光电子器件结构生长

    我们可在GaAs砷化镓基底上生长高质量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜层,适用于不同应用。

2、低温砷化镓

    对于某些应用需要快速响应装置,例如光学探测器、可饱和吸收器 或光电导天线。我们提供低温外延生长器件,响应时间短至1 ps。

    我们可提供以下在GaAs衬底上生长的一个或两个单层的低温砷化镓:




猜你喜欢