在五年前的好日子里，半导体产品的工艺尺寸缩小，意味着面临在污染方面的挑战，因为要清除尺寸更小的微粒。然而，随着新材料的快速引进，情形变了。只要看看光刻技术和后道工序，我们就可以知道，为什么你的前辈或者甚至是兄长不使用这种制造工艺，也能够明白这对污染控制来说将意味着什么。
IPSSLP咨询公司总裁Larry Thompson认为，光刻技术的临界尺寸（即最小线宽，critical dimension，简称CD）预计会像致命的微粒（killer particles）一样尾随特征尺寸。他说：“因为临界尺寸正在缩少，所以必须更好地控制空气污染。”
新材料现在能够起一定的作用，例如浸润光刻技术用水来代替在最后的透镜和晶片之间的空气，可以形成精度更高的图像，但是，通过强激光能够破坏保护层里或者保护层下面的污染物，这样做会产生泡沫，造成光线散射并在附近层积挥发物。正因为如此，Thompson说，各家公司都在努力把最后的透镜变成一个平的、可替代的元件。
浸润光刻技术现在刚刚开始投入使用，人们总会看到它结束的那一天。远紫外线（EUV）光刻技术是下一代成像技术的有力竞争者。远紫外线的光量子波长约为13纳米，几乎是最先进的193纳米技术的十五分之一。产生这些短波会导致出现大量微粒，这主要是设备本身造成的。
替代方案还包括分子压印技术，这种技术可以把带有所需特征的模板印压在光致抗蚀图上。如果模型建立正确无误，可以达到非常高的图形分辨率。要达到这个目标需要有效地控制污染物，由于要求精确复制模板而不是缩小尺寸，这将是一个巨大的挑战。Thompson说：“不管是空气还是材料本身造成的污染在压印技术中要比在4X缩印技术中危险得多。”
在后道工序中，新材料已经造成了污染。因为在努力提高电路性能的同时，制造商开始转向高应力氮化物和氧化物，以及低电容或者低介电常数（low-k）、易脆和粘性差的材料。
IBM公司高级工程师chris Long认为，薄膜的应力是一个问题。他说：“当薄膜经过后面的工艺，在高应力点位时……薄膜会开裂，然后裂口越来越大。”
这些问题往往出现在晶片和工艺设备上。当打开工艺设备进行预防性的维护时候，薄膜就会暴露在各种湿度下，这时，它可能会形成很小的悬浮在空气中的絮片。这些东西可能会落在其他工艺设备、进料口或者任何地方。如果为了节约能源和金钱而降低半导体里的气流，会使这个问题变得更突出。
保证靠得很近的各种工艺设备不在同一时间打开，问题就不会太严重。另一个可行的办法是改变工艺设备的清洁程序。增加湿度控制，或是临时改变区域气流也有帮助。
另外一种新材料也出现了材料本身带来的污染问题。例如，薄膜的原子层沉积可能会在微槽上产生非常大的阶梯覆盖。它也可能会导致晶片背面的薄膜不均匀，从而增加背面受到污染的可能性。
一个办法是增加对背面的清洗和检测。这种方法倾向于把晶片分成几个各不相同的清洁区域，包括正面和背面。
chris Long指出，当特征尺寸不断缩小、低于目前最先进的65纳米技术，污染的影响将会越来越大，要不断地去克服一个个难关。他说：“如果不重视这些问题并且尽早采取措施，迟早会有麻烦。”

紫外线（UV）灭菌水处理公司在中国设立机构
英国的海诺威（Hanovia）是生产用于水、污水、空气及表面消毒的紫外线（UV）灭菌设备系统的公司，最近在中国上海设立业务机构。
海诺威为半导体和LCD屏幕生产、医药制造、食品饮料加工及酿造在内的众多工业部门提供纯净水。
海诺威常务董事Craig Howarth说：“我们在上海新成立的业务机构会为我们提供很多机遇，并将持续积极地推动中国迅速发展的UV灭菌市场。”
海诺威是豪迈（Halma）的子公司。豪迈是电子、安全和环境技术领域国际市场的领先企业，旗下有40 家子公司，生产危险探测和生命保护产品。